Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України Національний університет „ Львівська політехніка “ ЗВІТ про виконання лабораторної роботи №4: з курсу „ Електроніка та мікросхемотехніка ” „ Зняття характеристик і визначення параметрів транзистора в схемі з спільним емітером” Мета роботи – вивчення особливостей роботи транзистора в схемі з спільним емітером, зняття вхідних і вихідних статичних характеристик, визначення коефіцієнта підсилення за струмом і вхідного опору. Теоретичні відомості Серед напівпровідникових приладів важливе місце займає транзистор, який застосовується для підсилення і перетворення електричних сигналів і має три виводи. Найбільше розповсюдження отримали транзистори з двома n-p переходами, які називають біполярними, Середня область транзистора називається базою, одна крайня область – емітером, а друга – колектором. Таким чином транзистор має два n –p переходи: емітерний – між емітером і базою і колекторний – між базою і колектором. У залежності від полярності напруги, яка прикладається до його переходів, транзистор може працювати в трьох режимах В активному режимі на емітерному переході напруга пряма, а на колекторному – зворотна. В режимі відсічки, або закривання, на обидва переходи подається зворотна напруга. Якщо на обох переходах напруга пряма, то транзистор працює в режимі насичення. Різновидністю активного режиму є інверсне ввімкнення транзистора, коли емітерний перехід зміщений у зворотному, а колекторний у прямому напрямках. Активний режим є основним і використовується в підсилювачах і генераторах. Схема для дослідження, необхідні прилади і деталі Схема для зняття характеристик транзистора в схемі з спільним емітером наведена на рис.3. Для підбору елементів схеми необхідно знати параметри досліджуваного транзистора. Виконання роботи План роботи: 1. Складання і випробування схеми. 2. Зняття вхідних статичних характеристик транзистора Іб = f (Uбе) при Uке = const. 3. Зняття вихідних статичних характеристик транзистора Ік = f1 (Uке) при Іб = const. 4. Побудова статичних характеристик транзистора. 5. Визначення коефіцієнта підсилення за струмом і вхідного опору транзистора. Транзистор типу Б-74 Зняття вхідних статичних характеристик транзистора Іб=f (Uбе) при Uке=const Uke=0 B Uke=1 B  Uбе, В Iб,мкА Uke=1 B Iб,мкА  0 0 0 0  0,2 0 0,1 0  0,4 4 0,2 0,2  0,6 12 0,3 0,8  0,8 28 0,4 2,4  1 44 0,5 5,4  1,2 70 0,6 10  1,4 100 0,7 14,8  1,6 126 0,8 14,8   Зняття вихідних статичних характеристик транзистора Ік=f1 (Uке) при Іб=const Іб=20 мкА Іб=40 мкА Іб=60 мкА Іб=80 мкА Іб=100 мкА Іб=120 мкА  Uке, В Iк,мкА Uке, В Iк,мкА Uке, В Iк,мкА Uке, В Iк,мкА Uке, В Iк,мкА Uке, В Iк,мкА  0,5 10 0,5 24 0,5 38,5 0,5 54 0,5 66 0,5 78  1 12 1 26 1 42 1 54 1 68 1 80  1,5 12 1,5 27 1,5 42 1,5 56 1,5 70 1,5 82  2 12 2 28 2 44 2 56 2 72 2 84  2,5 13 2,5 28 2,5 45 2,5 58 2,5 74 2,5 84  3 13 3 30 3 46 3 58 3 74 3 84  3,5 14 3,5 30 3,5 47 3,5 60 3,5 76 3,5 88  4 14 4 31 4 48 4 60 4 76 4 _-----_  4,5 15 4,5 32 4,5 _-----_ _-----_ _-----_ _-----_ _-----_ _-----_ _-----_  5 16 5 _-----_ _-----_ _-----_ _-----_ _-----_ _-----_ _-----_ _-----_ _-----_   Іб=5мкА Іб=10 мкА Іб=15 мкА Іб=20 мкА Іб=25 мкА Іб=30 мкА  Uке, В Iк,мкА Uке, В Iк,мкА Uке, В Iк,мкА Uке, В Iк,мкА Uке, В Iк,мкА Uке, В Iк,мкА  0,2 0,16 0,2 0,28 0,2 0,48 0,2 0,64 0,2 0,76 0,2 0,925  0,4 0,17 0,4 0,32 0,4 0,48 0,4 0,66 0,4 0,8 0,4 0,96  0,6 0,18 0,6 0,32 0,6 0,49 0,6 0,67 0,6 0,82 0,6 0,97  0,8 0,19 0,8 0,32 0,8 0,5 0,8 0,67 0,8 0,84 0,8 0,98  1 0,2 1 0,32 1 0,5 1 0,68 1 0,84 1 1  1,2 0,22 1,2 0,33 1,2 0,5 1,2 0,68 1,2 0,84 1,2 1,01  1,4 0,22 1,4 0,33 1,4 0,51 1,4 0,69 1,4 0,84 1,4 1,02  1,6 0,23 1,6 0,34 1,6 0,51 1,6 0,...